Концепты

Samsung представит на CES 2026 первые образцы LPDDR6 с пропускной способностью 10,7 Гбит/с на контакт

Samsung пообещала представить на выставке CES 2026 образцы оперативной памяти LPDDR6, которая дебютирует в серийной продукции год спустя. Чипы нового образца станут производиться по техпроцессу 12 нм и обеспечат скорость передачи данных до 10,7 Гбит/с на контакт. Память следующего поколения будет использоваться в мобильных устройствах, высоконагруженных периферийных системах и в задачах искусственного интеллекта.

Почему ИИ никак не сесть на безматричную диету

Почему ИИ никак не сесть на безматричную диету

Пять причин полюбить HONOR Magic7 Pro

Пять причин полюбить HONOR Magic7 Pro

Пять причин полюбить HONOR X8c

Пять причин полюбить HONOR X8c

HUAWEI FreeArc: вероятно, самые удобные TWS-наушники

HUAWEI FreeArc: вероятно, самые удобные TWS-наушники

Пять причин полюбить HONOR Pad V9

Пять причин полюбить HONOR Pad V9

Hollow Knight: Silksong — песнь страданий и радостей. Рецензия

Hollow Knight: Silksong — песнь страданий и радостей. Рецензия

Обзор умных часов HUAWEI WATCH 5: часы юбилейные

Обзор умных часов HUAWEI WATCH 5: часы юбилейные

Фитнес-браслет HUAWEI Band 10: настоящий металл

Фитнес-браслет HUAWEI Band 10: настоящий металл

 Источник изображения: ces.tech

Источник изображения: ces.tech

Организация JEDEC описывает LPDDR6 в стандарте JESD209-6. Память нового образца отличает архитектура с двумя подканалами на кристалл — по 12 линий передачи данных на каждый. У каждого подканала реализован свой набор командных и адресных сигналов. Такая конфигурация позволяет сохранять гранулярность в 32 байта при высокой эффективной пропускной способности канала. Поддерживается гибкая длина пакетов данных от 32 до 64 байтов.

Важнейшим достоинством LPDDR6 является повышенная на 21 % энергоэффективность — при сопоставимых скоростях память нового образца работает при более низком напряжении, чем LPDDR5. Она располагает двумя независимыми источниками питания VDD2, поддерживает динамическое изменение напряжения и частоты (DVFS), а также режим динамической эффективности, позволяющий ограничиваться одним подканалом при небольшой нагрузке.

Предусматриваются несколько средств обеспечения безопасности. Имеются счётчик активации строк — он предотвращает утечку заряда в соседних ячейках при частых обращениях; поддерживает защищённые области с ограниченным доступом; имеет встроенную систему коррекции ошибок (ECC) прямо на кристалле; а ещё систему контроля чётности (CA Parity), защиту каналов связи и встроенную систему самопроверки памяти (MBIST).

О том, какие семейства процессоров будут поддерживать память нового поколения, говорить ещё рано — Intel и AMD о ней пока не упоминали.

Источник

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»