Формируемая несколькими слоями память типа HBM считается одной из самых быстрых на рынке, но она остаётся дорогой и сложной в производстве. По некоторым данным, стандартизирующий орган JEDEC готовит послабления в части требований к высоте стека HBM4E, чтобы облегчить жизнь и работу производителям памяти не только одноимённого поколения, но и последующих.
Содержание статьи
- 1 Обзор Samsung Galaxy Z TriFold: тройной складной смартфон по цене квартиры в Воркуте
- 2 Ryzen и 16 Гбайт DDR5: как сэкономить на памяти так, чтобы не лишиться 15 % производительности
- 3 Компьютер месяца, спецвыпуск: эпоха отката, или Как дефицит чипов памяти влияет на выбор железа для игрового ПК
- 4 Обзор Ryzen 7 9850X3D: три процента за двадцать баксов
- 5 Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone
- 6 Гид по выбору OLED-монитора в 2026 году: эволюция в деталях
- 7 Обзор ноутбука HONOR MagicBook X16 2026: как раньше, только лучше
- 8 От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте
Обзор Samsung Galaxy Z TriFold: тройной складной смартфон по цене квартиры в Воркуте
Ryzen и 16 Гбайт DDR5: как сэкономить на памяти так, чтобы не лишиться 15 % производительности
Компьютер месяца, спецвыпуск: эпоха отката, или Как дефицит чипов памяти влияет на выбор железа для игрового ПК
Обзор Ryzen 7 9850X3D: три процента за двадцать баксов
Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone
Гид по выбору OLED-монитора в 2026 году: эволюция в деталях
Обзор ноутбука HONOR MagicBook X16 2026: как раньше, только лучше
От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте
Источник изображения: Samsung Electronics
Об этом сообщает издание Business Korea, которое заодно напоминает, что действующим стандартом JEDEC определена максимальная высота стека HBM3E в размере 720 мкм, а для HBM4 задан предел в размере 775 мкм. Как ожидается, для HBM4E шаг увеличения размера окажется заметно больше, поскольку максимальная высота стека ограничится 900 мкм. Предполагается, что за счёт этого в стеке можно будет разместить больше ярусов и тем самым увеличить ёмкость одного стека памяти. Современные микросхемы HBM3E имеют до 12 ярусов, но производители памяти уже располагают образцами 16-ярусных чипов HBM3E и HBM4.
Кроме того, подобные послабления влекут целый ряд преимуществ. Во-первых, при производстве HBM следующих поколений можно будет сохранить технологию упаковки чипов в стеке — сейчас для этого применяется метод термокомпрессионного формирования связей, а перспективная технология гибридных связей пока не может применяться в массовом производстве из-за нестабильности качества продукции. Сохранив прежнее оборудование для производства новых типов памяти, можно будет не только сэкономить, но и не ограничивать объёмы выпуска продукции из-за нехватки новых типов оборудования.
Во-вторых, поскольку требования к сложности выпускаемых чипов HBM будут снижены, снизится уровень брака и объёмы годной продукции удастся увеличить, а затраты снизятся. Правда, у возможных послаблений находятся и свои противники. Южнокорейские производители типа Samsung и SK hynix уже сейчас выпускают продукцию, которая превосходит требования стандартов JEDEC. Если эти требования станут мягче, это позволит конкурентам проще проникать на рынок, особенно китайским.
