Компании

JEDEC разрешит памяти HBM4E подрасти — ради упрощения производства и снижения цены

Формируемая несколькими слоями память типа HBM считается одной из самых быстрых на рынке, но она остаётся дорогой и сложной в производстве. По некоторым данным, стандартизирующий орган JEDEC готовит послабления в части требований к высоте стека HBM4E, чтобы облегчить жизнь и работу производителям памяти не только одноимённого поколения, но и последующих.

Обзор Samsung Galaxy Z TriFold: тройной складной смартфон по цене квартиры в Воркуте

Обзор Samsung Galaxy Z TriFold: тройной складной смартфон по цене квартиры в Воркуте

Ryzen и 16 Гбайт DDR5: как сэкономить на памяти так, чтобы не лишиться 15 % производительности

Ryzen и 16 Гбайт DDR5: как сэкономить на памяти так, чтобы не лишиться 15 % производительности

Компьютер месяца, спецвыпуск: эпоха отката, или Как дефицит чипов памяти влияет на выбор железа для игрового ПК

Компьютер месяца, спецвыпуск: эпоха отката, или Как дефицит чипов памяти влияет на выбор железа для игрового ПК

Обзор Ryzen 7 9850X3D: три процента за двадцать баксов

Обзор Ryzen 7 9850X3D: три процента за двадцать баксов

Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone

Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone

Гид по выбору OLED-монитора в 2026 году: эволюция в деталях

Гид по выбору OLED-монитора в 2026 году: эволюция в деталях

Обзор ноутбука HONOR MagicBook X16 2026: как раньше, только лучше

Обзор ноутбука HONOR MagicBook X16 2026: как раньше, только лучше

От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте

От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом сообщает издание Business Korea, которое заодно напоминает, что действующим стандартом JEDEC определена максимальная высота стека HBM3E в размере 720 мкм, а для HBM4 задан предел в размере 775 мкм. Как ожидается, для HBM4E шаг увеличения размера окажется заметно больше, поскольку максимальная высота стека ограничится 900 мкм. Предполагается, что за счёт этого в стеке можно будет разместить больше ярусов и тем самым увеличить ёмкость одного стека памяти. Современные микросхемы HBM3E имеют до 12 ярусов, но производители памяти уже располагают образцами 16-ярусных чипов HBM3E и HBM4.

Кроме того, подобные послабления влекут целый ряд преимуществ. Во-первых, при производстве HBM следующих поколений можно будет сохранить технологию упаковки чипов в стеке — сейчас для этого применяется метод термокомпрессионного формирования связей, а перспективная технология гибридных связей пока не может применяться в массовом производстве из-за нестабильности качества продукции. Сохранив прежнее оборудование для производства новых типов памяти, можно будет не только сэкономить, но и не ограничивать объёмы выпуска продукции из-за нехватки новых типов оборудования.

Во-вторых, поскольку требования к сложности выпускаемых чипов HBM будут снижены, снизится уровень брака и объёмы годной продукции удастся увеличить, а затраты снизятся. Правда, у возможных послаблений находятся и свои противники. Южнокорейские производители типа Samsung и SK hynix уже сейчас выпускают продукцию, которая превосходит требования стандартов JEDEC. Если эти требования станут мягче, это позволит конкурентам проще проникать на рынок, особенно китайским.

Источник

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»