Разработана технология производства сверхминиатюрных чипов с использованием B-EUV-литографии

Учёные Университета Джонса Хопкинса (США) разработали передовую технологию в области производства чипов — сверхточные лазеры и инновационные материалы помогут сделать микросхемы меньше, чем когда-либо.

Обзор смартфона HUAWEI Pura 80 Pro: разумный флагман с мощнейшей камерой

Обзор видеокарты Acer Nitro Intel Arc B580 OC

Обзор ноутбука HONOR MagicBook Pro 16 HUNTER 2025. Для игр? Для работы? Для игр и работы!

Компьютер месяца — сентябрь 2025 года

Обзор планшета HUAWEI MatePad 11,5» (2025): апгрейд без бликов

В чем уникальность зум-камеры HUAWEI Pura 80 Ultra?

Шестиядерники за 10 тысяч рублей — сравнение и тесты

Ноутбуки HONOR MagicBook: технологии, дизайн и производительность для любых задач

Источник изображений: Johns Hopkins University

Предложенные американскими учёными новые материалы и технологические решения расширят границы производства чипов — они станут компактнее, быстрее и доступнее, а использовать их можно будет повсюду — от смартфонов до самолётов. Микросхемы нового поколения станут настолько крохотными, что их будет невозможно разглядеть невооружённым глазом. Сверхточный, но экономичный в аспекте материальных затрат процесс открывает перспективу крупномасштабного производства. «У компаний есть планы развития, которые они хотят реализовать лет через 10–20 и далее. Одним из препятствий был поиск процесса создания более мелких структурных элементов на производственной линии, где материалы быстро и с абсолютной точностью подвергаются облучению, чтобы сделать процесс экономически эффективным», — рассказал профессор химического машиностроения и биомолекулярной инженерии Майкл Цапацис (Michael Tsapatsis).

Необходимые для печати таких миниатюрных схем лазеры уже существуют, пояснил учёный, — проблема была в том, чтобы найти материалы и технологические процессы для их обработки при крохотных размерах. Микрочипы представляют собой кремниевые пластины, на которых вытравлены схемы для выполнения основных функций. При производстве пластина покрывается чувствительным к свету материалом — резистом. Попадая на резист, луч вызывает химическую реакцию и вытравливает на пластине узоры, образующие схемы. Традиционные резисты не выдерживают воздействия мощных пучков света, необходимых для создания мельчайших структурных элементов.

Ранее учёные лаборатории профессора Цапациса и исследовательской группы профессора Ховарда Фэйрбразера (Howard Fairbrother) разработали резисты из металлорганических соединений, способных выдерживать «запредельное сверхжёсткое ультрафиолетовое излучение» (Beyond Extreme Ultraviolet Radiation — B-EUV). Металлы, например, цинк, поглощают излучение B-EUV и выбрасывают электроны, которые запускают химические реакции в органическом компоненте — имидазоле. Авторам проекта одним из первых удалось добиться успешного осаждения металлорганических резистов на основе имидазола на кремниевую пластину, контролируя толщину его слоя с нанометровой точностью. Для создания этих резистов учёные воспользовались наработками коллег из Восточнокитайского технологического университета, Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL, Швейцария), Сучжоуского университета (Китай), Брукхейвенской национальной лаборатории (США) и Национальной лаборатории Лоуренса в Беркли (США).

Исследователи Университета Джонса Хопкинса предложили методологию химического жидкостного осаждения, которая позволяет с высокой точностью проектировать и оперативно тестировать различные комбинации металлов с имидазолом. Варьируя их, можно влиять на эффективность поглощения света и химию последующих реакций, что открывает возможности для создания новых металлорганических пар, пояснил профессор Цапацис, — в этой химии можно использовать минимум десять металлов и несколько сотен органических соединений. Учёные прицельно испытывают эти комбинации на излучении B-EUV, которое планируют развёртывать на полупроводниковом производстве в следующем десятилетии.

«Поскольку разные длины волн по-разному воздействуют на разные элементы, металл, который проигрывает на одной длине волны, может выйти победителем на другой. Цинк не очень хорош в сверхжёстком ультрафиолетовом излучении (EUV), но он один из лучших в B-EUV», — заключил профессор Майкл Цапацис.

Источник